Ordet "flash memory" er nu på alles læber. Udtrykket "flashdrev" selv første gradere i samtalen bruges ofte. Denne teknologi med utrolig hastighed vundet popularitet. Desuden har mange analytikere forudser, at i den nærmeste fremtid flash-hukommelse vil erstatte lagringsenheder baseret på magnetplader. Tilbage står kun at iagttage de fremskridt, udvikling og dens fordele. Overraskende mange taler om dette nye produkt, næsten uvidende om, at en sådan en flash-hukommelse. På den ene side, som brugeren skal enheden arbejdede, og hvordan den udfører sine funktioner - mindre sager. Men for at have mindst en grundlæggende forståelse nødvendig for hver uddannet person.
Hvad er flash-hukommelse?
Som du ved, computere har flere typer af lagerenheder: hukommelsesmoduler, harddiske og optiske drev. De to sidste - det er elektromekaniske løsninger. Men RAM - fuldt elektronisk enhed. Er en samling af transistorer på en chip samlet en særlig chip. Sin særegenhed ligger i det faktum, at data lagres så længe basis i hver kontrol tast aktiveres. I øjeblikket er vi senere tage et nærmere kig. Flash-hukommelse er blottet for denne mangel. opkræve opbevaring problemet uden en ekstern spænding løses ved hjælp svævende gate transistorer. I fravær af ekstern indflydelse ladning i en sådan indretning kan holdes tilstrækkelig lang tid (mindst 10 år). For at forklare princippet om drift, er det nødvendigt at minde om grundlæggende i elektronik.
Hvordan virker en transistor?
Disse elementer er blevet så udbredt, at det er sjældent, hvor de ikke anvendes. Selv banale lyskontakt er undertiden sat drevet nøgler. Hvordan har den klassiske transistor arrangeret? Den er baseret på to halvledermateriale, hvoraf den ene har en elektronisk ledningsevne (n), og det andet hul (p). Til opnåelse af en enkelt transistor, er det nødvendigt at kombinere materialer, såsom npn og hver blok plug elektrode. I den ene ende elektrode (emitter) spænding tilføres. De kan styres ved at ændre størrelsen af potentialet på den gennemsnitlige produktion (base). Fjernelse sker på kollektoren - den tredje ekstreme kontakt. Det er indlysende, at med bortfaldet af basen spænding vil vende tilbage til en neutral tilstand. Men transistororganet med en svævende indgang underliggende fleshek lidt anderledes: forsiden af halvledermateriale basismaterialet er anbragt et tyndt lag af dielektrikum og den svævende gate - tilsammen udgør en såkaldt "lomme". Ved anvendelse af plus spænding til basis af transistoren, som skal åbnes ved at lede en strøm, der svarer til et logisk nul. Men hvis porten for at sætte en enkelt opladning (elektron), sit felt neutraliserer effekten af base-bygningen - enheden vil nægte at lukket (logisk enhed). Ved at måle spændingen mellem emitteren og kollektoren kan bestemme tilstedeværelsen (eller fraværet) af ladningen på den svævende gate. Sætte ladningen på indgangen ved hjælp tunneleffekten (Fowler - Nordheim). At fjerne behovet for at gøre den høje ladning (9) til en negativ spænding og en positiv base at emitter. Afgiften vil forlade gaten. Da teknologien bliver stadig bedre er det blevet foreslået at kombinere udførelsesformen og en konventionel transistor med svævende indgang. Dette tillod "slette" opkræve en lav spænding og producere en mere kompakt indretning (ikke nødvendigt at isolere). USB flash-hukommelse benytter dette princip (NAND Structure).
Ved således at kombinere disse transistorer i blokkene, det var muligt at skabe en hukommelse, hvori de registrerede data er teoretisk bibeholdes uden ændringer i årtier. Måske er den eneste ulempe ved moderne flashdrev - antallet skrivecyklusser grænse.